台積電2nm工藝将繼續漲價：每片晶圓超3萬美元 爲4/5nm兩倍

據報道，台積電在 2nm 制程節點上取得了重大突破，将首次引入 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術。N2 工藝還結合了 NanoFlex 技術，爲芯片設計人員提供了前所未有的标準元件靈活性。相較于當前的 N3E 工藝，N2 工藝預計将在相同功率下實現 10% 至 15% 的性能提升，或在相同頻率下将功耗降低 25% 至 30%。更令人矚目的是，晶體管密度将提升 15%，這标志着台積電在半導體技術領域的又一次飛躍。據報道，台積電每片 300mm 的 2nm 晶圓的價格可能超過 3 萬美元，高于之前預期的 2.5 萬美元。相比之下，目前 3nm 晶圓的價格大概在 1.85 萬至 2 萬美元，而 4/5nm 晶圓的價格在 1.5 到 1.6 萬美元之間。（金融界）