快科技 1 月 25 日消息，今天，英特爾官方發布公告稱，已實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生産，可在 2030 年後繼續推進摩爾定律。
這一進展不僅可以在芯片産品的性能、尺寸，以及設計應用的靈活性方面獲得競争優勢，還将推動英特爾下一階段的先進封裝技術創新。
英特爾表示，在其最新完成升級的美國新墨西哥州 Fab 9 工廠，實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生産，其中包括英特爾突破性的 3D 封裝技術 Foveros。
據了解，英特爾 Foveros 是 3D 先進封裝技術，在處理器的制造過程中，能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊。
英特爾的 Foveros 和 EMIB 等封裝技術，可以實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管，并在 2030 年後繼續推進摩爾定律。
摩爾定律是 Intel 創始人之一戈登 · 摩爾的經驗之談，其核心内容爲：
集成電路上可以容納的晶體管數量，每經過 18-24 個月便會翻一番，而處理器的性能大約每 2 年翻一倍，同時價格降低一半。
英特爾 CEO 帕特 · 基辛格此前也曾表示，" 對于那些宣告我們 ( 摩爾定律 ) 已經死亡的批評者來說，在元素周期表用完之前，我們絕不會停下！"
