無需EUV光刻機和先進制程，我國推進矽光子新賽道

IT 之家 1 月 24 日消息，美國智庫戰略與國際研究中心（CSIS）于 1 月 12 日發布文章，表示矽光子技術成爲中美科技戰的新戰場，可能重塑半導體和 AI 領域的競争格局。

圖源：WikiMedia

該文章作者馬修・雷諾茲（Matthew Reynolds）表示，和現有電子芯片不同的是，光子芯片利用光子而非電子傳遞信息，結合光子學和電子技術，有可能創造出具有更高帶寬和能效的大規模計算系統，超越傳統電子芯片的物理限制。

我國第十四個五年規劃和 2035 年遠景目标綱要中，都明确提到了光子技術，将其視爲繞過西方技術控制的途徑之一。

中國智庫中國國際經濟交流中心（CCIEE）經濟學家陳文玲表示，矽光子是中國能彎道超車的技術：" 光子芯片具有諸多技術優勢，它運算速度更快，信息容量更大，将比目前的矽基芯片提升 1000 倍以上 "。

中國中科鑫通微電子（SinTone）正籌建光子芯片生産線，意味中國在光子芯片将走在世界前列，甚至徹底改變芯片技術路線。

中科鑫通微電子總裁隋軍指出，中國有能力在國内生産光子芯片，因爲制造過程不需用到極紫外光（EUV）光刻機。

雷諾茲認爲當前光子芯片還存在諸多挑戰，短期内不可能替代電子芯片，但的确有望成中國前進半導體制造前沿的突破口。

根據 siliconsemiconductor 報道，全球矽光子市場預計将以 22.4% 的複合年增長率增長，在 2023 年預估産值規模爲 14 億美元（當前約 100.38 億元人民币），而到 2030 年底預估達到 61 億美元（IT 之家備注：當前約 437.37 億元人民币）。