美光計劃部署納米印刷技術，降低 DRAM 芯片生産成本

IT 之家 3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生産 DRAM 存儲芯片的單層成本。

美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在将納米印刷技術應用于 DRAM 生産的一些細節。美光在演講中表示 DRAM 節點和沉浸式光刻分辨率問題，名爲 "Chop" 的層數量不斷增加，這就意味着添加更多的曝光步驟，來取出密集存儲器陣列外圍的虛假結構（dummy structures）。

美光公司表示由于光學系統本身性質，這些 DRAM 層的圖案很難用光學光刻技術進行印刷，而納米打印方式可以用更精細的方式打印出來，且鑒于納米印刷技術應用成本是沉浸式光刻技術的五分之一，因此是非常不錯的解決方案。

納米印刷技術并不能在内存芯片生産的所有階段取代傳統的光刻技術，兩者并非純粹的競争關系，但該技術至少可以降低單個技術操作的成本。

IT 之家此前報道，佳能 2023 年   10 月公布 FPA-1200NZ2C 納米壓印光刻（NIL）半導體設備。佳能社長禦手洗富士夫表示，納米壓印光刻技術的問世，爲小型半導體制造商生産先進芯片開辟了一條新的途徑。

佳能半導體設備業務經理岩本和德表示，納米壓印光刻是指将帶有半導體電路圖案的掩模壓印在晶圓上，隻需一個印記，就可以在适當的位置形成複雜的 2D 或 3D 電路圖案，因此隻需要不斷改進掩模，甚至能生産 2nm 芯片。