美光科技 Logo（圖片來源：钛媒體 App 編輯拍攝）
中國台灣花蓮 7.3 級強震對于存儲芯片市場的影響持續發酵。
钛媒體 App 獲悉，4 月 12 日，全球存儲芯片巨頭美光科技（Micron）向美國 SEC 發布文件稱，中國台灣 4 月 3 日發生的地震将導緻公司生産的 DRAM（動态随機存取記憶體）産品供應在本季度内造成高達中個位數百分比的影響，即 5% 左右。
美光方面也強調，目前就公司運營和供應鏈影響來看，所有美光團隊成員都是安全的，而且這場地震對設施、基礎設施或工具沒有永久性影響，也不會影響我們的長期 DRAM 供應能力。
據悉，美光成立于 1978 年，其主要業務爲生産各種半導體元件，包括動态随機存取存儲器，閃存和固态驅動器；其主要産品包括 DRAM、NAND 閃存存儲器、其它半導體元件和内存模組等。
全球份額方面，集邦咨詢最新數據顯示，2023 年第四季度，美光依然是全球第三大 DRAM 廠商，市場份額爲 19.2%；在 NAND 市場，美光該季度的市場份額爲 9.9%，位列第五。
而從全球範圍來看，存儲市場主要由三星、SK 海力士、美光科技、铠俠和西部數據等大廠商主導，這 5 家合計占據全球接近 98% 的市場份額。
美光科技最新财報顯示，截至 2 月 29 日的 2024 财年第二财季，美光營收爲 58.24 億美元，同比、環比分别增長 58%、23%；美光還扭虧爲盈，實現 4.76 億美元淨利潤，上财季與上财年同期則分别錄得淨虧損 10.48 億美元和 20.81 億美元。
據美光在中國台灣的董事長盧東晖透露，以 DRAM 制造爲主，美光有多達 65％的 DRAM 在中國台灣生産，未來中國台灣更将是最先進 DRAM 制造和先進封裝重鎮。另外，台中工廠在 2023 年下半年也開始量産先進的 1-beta 制程，主要生産汽車、數據中心等場景的存儲芯片。而後續也将有 HBM 在中國台灣地區生産。
因此，台灣花蓮地震對于美光科技 DRAM 影響很大。
今年 4 月 3 日上午 7 時 58 分，在中國台灣花蓮縣海域（北緯 23.81 度，東經 121.74 度）發生 7.3 級地震，震源深度 12 千米。這是島内近 25 年來最大規模地震，造成了超過 30 萬戶停電、部分交通停運和建築損毀。
針對此次地震，美光科技随後發布公告稱：确認所有當地員工均安全無虞。當地的生産運營和供應鏈影響程度仍在評估中，将持續與客戶溝通供貨的情況。據悉，美光在台的林口廠與台中廠仍需數日時間完全恢複運作，其餘廠區多半在停機檢查後陸續複工。
然而，地震數日後，美光存儲芯片産品率先暫停報價，将待災後的損失評估後再度啓動 2024 年 Q2 合約價談判。
早前有消息稱，美光已向多數客戶提出調升 Q2 産品報價，漲幅超過 20%，價格談判仍在進行中。同時，NAND 閃存價格也在持續上漲，一季度整體漲 23-28％，第二季度預計還會再漲 13%-18％。
除了美光成爲率先調漲 Q2 報價的存儲廠商，目前，三星、SK 海力士也跟進停止報價，盡管兩大供應商并沒有 DRAM 生産位于中國台灣地區，但也希望觀望後市後再行動。DRAM 供應商目前大緻處于停止報價階段，模組廠也跟進停止報價，但三星和 SK 海力士也希望提高 DRAM 産量，将恢複至削減前水平。
業界認爲，基于近來存儲器原廠持續拉擡價格的态度，如今三家原廠停止報價可能成爲漲價訊号，并牽動第二季度合約價格。
Omdia 表示，三星電子已将今年第二季度的平均每月 DRAM 晶圓投入量調升至 60 萬片，環比增長 13%；預計下半年将 DRAM 晶圓投入量增加至 66 萬片，DRAM 産量恢複到削減前的水平。SK 海力士将把每月平均 DRAM 晶圓投入量從第一季度的 39 萬片增加到第二季度的 41 萬片；下半年預計該公司的 DRAM 晶圓投入量将增加至 45 萬片。
集邦咨詢在 4 月 10 日表示，地震影響沖擊小，美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大緻恢複 100% 的産線運作，其中僅有美光已經轉進至先進制程，多爲 1alpha 與 1beta nm，預估将影響整體 DRAM 産出位元占比；其餘 DRAM 廠仍停留在 38、25nm，産出占比相對小。整體而言，預期本次地震對第二季 DRAM 産出位元影響仍可控制在 1% 以内，并且合約價漲幅效果有限。
集邦咨詢強調，二季度移動 DRAM 合約價季度漲幅約 3~8%。而服務器 DRAM 方面仍不排除美光相關産品最終成交價可能上升，後續價格走勢仍待觀察。
（本文首發钛媒體 App，作者｜林志佳）
