IT 之家 2 月 27 日消息，三星電子今日官宣發布其首款 12 層堆疊 HBM3E DRAM —— HBM3E 12H，這是三星目前爲止容量最大的 HBM 産品。
三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達 1280GB/s，産品容量也達到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。
" 當前行業的人工智能服務供應商越來越需要更高容量的 HBM，而我們的新産品 HBM3E 12H 正是爲了滿足這種需求而設計的，" 三星電子存儲器産品企劃團隊執行副總裁 Yongcheol Bae 表示，" 這一新的存儲解決方案是我們研發多層堆疊 HBM 核心技術以及在人工智能時代爲高容量 HBM 市場提供技術領導力而努力的一部分。"
據介紹，HBM3E 12H 采用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得 12 層和 8 層堆疊産品的高度保持一緻，以滿足當前 HBM 封裝的要求。因爲行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項技術将在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜（NCF）材料的厚度，并實現芯片之間的間隙最小化至 7 微米（µ m），同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其 HBM3E 12H 産品的垂直密度比其 HBM3 8H 産品提高了 20% 以上。
三星的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊（bump）改善 HBM 的熱性能。在芯片鍵合（chip bonding）過程中，較小凸塊用于信号傳輸區域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助于提高産品的良率。
三星電子表示，相比 HBM3 8H，HBM3E 12H 搭載于人工智能應用後，預計人工智能訓練平均速度可提升 34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過 11.5 倍。
IT 之家從官方新聞稿獲悉，三星已開始向客戶提供 HBM3E 12H 樣品，預計于今年下半年開始大規模量産。
