IT 之家 1 月 29 日消息，美光于 2023 年末在 IEEE IEDM 會議上披露了其 32Gb 3D NVDRAM（非易失性 DRAM）研發成果。不過根據外媒 Blocks & Files 從兩位受采訪的行業分析師處得到的消息，這一突破性的新型内存基本不可能走向商業化量産道路，但其展現的技術進展有望出現在未來内存産品之中。
美光的 NVDRAM 内存基于鐵電性（IT 之家注：具有自發極化，且極化方向可在外加電場下反轉）原理，可在擁有類似 NAND 閃存的非易失性的同時獲得接近 DRAM 的高耐久和低延遲。該新型内存采用雙層 3D 堆疊，32Gb 的容量密度創下了鐵電性存儲器的新紀錄。美光已基于 LPDDR5 規範對 NVDRAM 樣品進行了測試，認爲其适合嚴苛的 AI 負載。
▲ 相關論文海報，圖源 Egnyte
不過，兩位受采訪的分析師均認爲，美光 NVDRAM 本身不太可能成爲量産産品。
來自 Objective Analysis 的分析師 Jim Handy 認爲，美光的 32Gb NVDRAM 有三項重要技術進展：
首次在産品中實現相較現有 DRAM 更小的鐵電性電容器；
在垂直通道上引入多晶矽技術；
将被用于 3D NAND 生産的 CuA（CMOS 陣列下）技術推廣到内存領域。
Jim Handy 認爲，美光 NVDRAM 在電容器中使用了锆（Zr）摻雜的氧化铪（HfO ₂）高介電常數材料，可大幅降低内存刷新率并顯著節省功耗。這一改進也可減小 DRAM 中電容器的體積，進一步提升存儲密度。上述一系列技術改進使得美光可僅用 48nm 成熟工藝就生産出 32Gb NVDRAM。作爲對比，三星去年推出了相同 32Gb 容量的 DDR5 DRAM，其采用的是 12nm 級工藝，相較美光樣品大幅領先。
不過 Jim Handy 也表示，其聽到過一些關于該 NVDRAM 不會進入量産階段的暗示。
另一位接受采訪的分析師是來自 MKW Ventures 的 Mark Webb。他認爲美光在相關項目上投入了大量的時間和精力。而這樣一份詳細的論文出現在 IEDM 會議上，一般隻有兩種情況：要麽即将推出産品；要麽産品因未知原因取消。Mark Web 的結論是，他也不認爲這一特定版本的産品将量産。
