36 氪獨家獲悉，北京晶飛半導體科技有限公司（下文簡稱：晶飛半導體）于 2023 年 9 月完成天使輪融資，該輪融資金額爲數千萬元。本次融資由無限基金 See Fund 領投，德聯資本和中科神光跟投。
該輪融資籌集到的資金将主要用于公司的技術研發、市場拓展以及團隊建設。這一投資将進一步加速晶飛半導體在半導體領域的創新步伐，爲推動公司技術和産品的不斷升級提供了有力支持。
成立于 2023 年 7 月，晶飛半導體的創業契機源于第三代半導體材料——碳化矽。
碳化矽相較于上一代半導體材料矽，具備 " 高功率密度、高開關頻率、高工作溫度和高耐壓 " 等特點，因此是高壓功率器件的演進方向，在新能源汽車、光伏、軌道交通等各類場景下擁有廣泛的使用前景。
然而，全球制約碳化矽在功率器件滲透率的核心要素便是成本。盡管碳化矽具備大帶隙、大載流子漂移速率和大熱導率的優勢，但是其硬度遠比傳統半導體材料矽更硬，導緻切割碳化矽損耗極高。從成本結構來看，襯底成本占比在碳化矽器件中高達 47%，傳統矽基器件僅有 7%。因此其襯底降本是實現碳化矽器件快速滲透的重要途徑。
綜上所述，晶飛科技緻力于研究激光垂直剝離技術研究，以實現對第三代半導體材料的精準剝離，以有效降低碳化矽襯底的生産成本。在 6 英寸和 8 英寸碳化矽襯底激光垂直剝離技術的研發方面，創始團隊深耕于激光精細微加工領域，利用超快激光技術，爲各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決方案，積極推動激光精細加工在制造業的國産化和傳統工藝替代。
晶飛半導體目前的主打産品，是碳化矽晶圓激光垂直剝離設備。此前，碳化矽普遍使用金剛線剝離，激光垂直剝離特點在于，此前技術模式的線損爲 200 μ m，研磨和抛光的損失爲 100 μ m；激光垂直剝離晶圓的線損爲 0，脈沖激光在晶錠内部形成爆破層，在分離後由于裂紋延伸的存在，在後續抛光加工後材料損失可控制在 80~100 μ m。
傳統多線切割導緻珍貴的襯底材料在加工過程中的浪費
晶飛在半導體剝離上的新技術模式相比于金剛線剝離損失的 1/3，這大大節約了剝離損失；對于厚度爲 2 cm 的晶錠，使用金剛線切割晶圓産出量約爲 30 片，然而采用激光剝離技術晶圓産出量約爲 45 片，增加了約 50 %。
碳化矽激光剝離技術演示圖
團隊構成方面，晶飛半導體本科及以上學曆人員占比 90%、研發人員占比 80%， 其中 40% 以上的人員具備博士學位，團隊具備機械、電氣、軟件和光學的融合背景。
關于晶飛剝離技術的商業價值，德聯資本投資經理康乾熙對 36 氪表示，" 新能源革命的大背景下，碳化矽功率器件市場潛力巨大。第三代半導體是功率半導體材料的重要演進方向，但受制于成本，行業的滲透一直存在挑戰。激光剝片這一新技術的出現可以顯著降低襯底成本，通過在切片加工新技術的部署，可以大幅降低碳化矽襯底成本從而完成下遊，如新能源汽車、軌道交通、光伏等行業的進一步滲透，降低損耗，推動未來能源系統變革。"
