IT 之家 5 月 7 日消息，據韓媒 The Elec 報道，SK 海力士正向東京電子（TEL）發送測試晶圓，以測試後者的低溫蝕刻設備，有望在未來 NAND 閃存生産中導入。
目前，提升堆疊層數是提升單顆 3D NAND 閃存顆粒容量的主要途徑。然而在層數提升的過程中，在閃存顆粒中蝕刻垂直通道的難度随着深寬比的增高逐漸加大，速度也随之降低。
廠商不得不考慮将整體 NAND 閃存分割爲多個閃存堆棧制造，之後将各個堆棧鍵合爲一體。不過多堆棧結構在鍵合過程中引入了對齊等新問題，性能、能效也有所下降。
東京電子的新型低溫蝕刻設備工作環境溫度爲 -70 ℃，明顯低于現有蝕刻設備的 0~30 ℃。
參考 IT 之家去年報道，新設備可在 33 分鍾内蝕刻 10 微米，比現有設備快 3 倍以上；
同時東京電子的低溫蝕刻設備采用氟化氫（HF）氣體，相較傳統系統使用的氟碳化物氣體擁有較低的溫室效應，更爲環保。
▲ 低溫蝕刻效果。圖源東京電子新聞稿
SK 海力士官宣的最新一代 321 層 NAND 閃存采用了三堆棧結構。業内人士預計，如果東京電子的低溫蝕刻設備效果良好，未來 400 + 層閃存産品有望将堆棧數量降低到 2 乃至 1。
在另一方面，SK 海力士的主要競争對手之一三星電子則是導入該工具的演示版本對低溫蝕刻進行評估。
