IT 之家 12 月 21 日消息,三星電子今日宣布,已成功開發出其首款采用 12 納米(nm)級工藝技術打造的 16Gb DDR5 DRAM,并與 AMD 一起完成了兼容性方面的産品評估。
▲ 圖自三星電子,下同
三星表示,這一技術突破是通過使用一種新的高介電(high-k)材料來增加電池電容,以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的。
三星數據顯示,結合先進的多層極紫外(EUV)光刻技術,新款 DRAM 擁有三星最高的 Die 密度(Die density),可使晶圓生産率提高 20%。
基于 DDR5 最新标準,三星 12nm 級 DRAM 将解鎖高達 7.2 千兆每秒(Gbps)的速度,這意味着一秒鐘内處理兩部 30GB 的超高清(UHD)電影。
能效方面,與上一代三星 DRAM 産品相比,12nm 級 DRAM 的功耗降低約 23%。
IT 之家了解到,随着 2023 年新款 DRAM 量産,三星計劃将這一基于先進 12nm 級工藝技術的 DRAM 産品擴展到更廣泛的市場領域。