三星LLW DRAM亮相 Galaxy S24新機有望率先采用

【太平洋科技資訊】11 月 30 日消息，今日，全球科技巨頭三星公司宣布，爲滿足設備端本地運行人工智能 ( AI ) 的需求，他們特别研發了一種新型動态随機存取内存 ( DRAM ) ，即低延遲寬帶輸入輸出 ( LLW ) DRAM。這種新型 DRAM 的性能優于現有的低功耗雙數據速率 ( LPDDR ) 解決方案。

據了解，LLW DRAM 的獨特之處在于其通過垂直集成存儲器和邏輯電路，實現了更高的效率和延遲。這種技術的應用，将爲設備端本地運行 AI 提供更強大的支持。據官方介紹，LLW DRAM 非常适用于智能手機、筆記本電腦和虛拟現實 ( VR ) 頭顯等設備。

據悉，在今年年初的 Tech Day 上，三星首次向公衆展示了 LLW DRAM。随後，在 Memory Tech Day 上，三星再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解決方案，進一步展示了三星在内存技術領域的領先地位。

值得注意的是，該介紹視頻中還展示了一款集成了 LLW DRAM 的手機，與當前一代三星設備非常相似，預計可能是即将推出的 Galaxy S24 系列。這似乎預示着，未來的 Galaxy 設備可能會采用相同的解決方案，從而提高設備的性能。

實際上，三星并非首家實施 LLW 技術的公司。蘋果公司的 Vision Pro 頭顯已經使用了扇出晶圓級封裝 ( FOWLP ) 技術，将 R1 芯片與 LLW DRAM 封裝在一起，進一步提升了設備的性能。

【知多 D】

據韓聯社，三星電子預計将在第三季度降低芯片赤字，這主要歸功于芯片産量的持續削減。KB Securities 分析師 Kim Dong-won 預測，三星電子 Q3 持續減産，DS 部門虧損将達 4 萬億韓元。