IT 之家 4 月 3 日消息，英特爾近日舉辦了一場代工業務網絡研讨會。除了展示代工部門獨立計算在财務上帶來的變化外，該研讨會還分享了英特爾代工未來的技術發展路線圖。
根據制程工藝路線圖，英特爾目标到 18A 節點重新成爲一流代工廠，并在 14A 節點确立領先地位。
在功耗方面，目前已有的 Intel 7 節點落後于競争對手，英特爾計劃于近期的 Intel 3 節點與行業領先企業（台積電）相當，同時在未來的 18A 節點實現略好于競争對手的水平，并于 14A 節點确認優勢。
而在密度方面，目前的 Intel 7 節點存在明顯劣勢，英特爾希望通過 Intel 3 節點縮小差距，并在 18A 節點追上競争者，而在 14A 節點上可獲得較小的密度優勢。
Intel 7 節點的晶圓成本明顯高于業界水平，英特爾希望通過從 Intel 3 到 14A 的演進，逐漸實現較低的晶圓成本。
同時，未來數年将見證英特爾制程目标市場的擴展，到 14A 節點英特爾将可對外代工移動端産品。
英特爾将逐步彌補在傳統 IDM 模式下對外部 EDA 支持的欠缺，将設計便捷度提升到業界平均水平。
此外英特爾還将進一步擴大在 2.5D / 3D 等先進封裝技術上的優勢。
作爲面向 AI 時代的系統代工廠，英特爾表示将通過多個層面的創新讓摩爾定律繼續前進。
互連方面，除了适用于 AI 的網卡和芯粒 UCIe 互連，英特爾還将發力矽光子學，并豐富在 PCIe、SerDes 領域的技術儲備。
英特爾目前可通過浸沒式液冷冷卻 1000W TDP 的芯片，目标到 2030 年實現對 2000W 芯片的冷卻；
在先進内存方向上，英特爾目前可通過 EMIB 連接 8 個 HBM 堆棧，未來該能力将提升至 12 個堆棧乃至更多，同時英特爾也在探索更新的内存解決方案。
對于 Foveros 3D Direct 高級封裝，英特爾目标到 2027 年左右實現 4 微米的連接間隙。
英特爾此次還給出了更詳細的玻璃基闆應用時間，這項技術的運用有望于 2027 年展開，稍晚于 IT 之家此前報道中三星電機設立的 2026 年目标。
