相比于今年的第 3 代骁龍 8，更多人關注的是明年的骁龍 8 系列 SoC。傳聞第 4 代骁龍 8 将采用台積電 N3E 工藝制造，也就是第二代 3nm 工藝，相比于目前使用的工藝，多核性能有了較大的提升。
近日有博主（@數碼閑聊站）透露，随着 Arm 授權政策收緊，高通最快會在内部代号爲 SM8750 的第 4 代骁龍 8 使用基于 NUVIA 技術的定制内核，和 Arm 雙版本的 CPU 部分都将采用 2+6 配置。
之前就有報道稱，第 4 代骁龍 8 的自研内核版本會以兩個 "Nuvia Phoenix" 性能核搭配六個 "Nuvia Phoenix M" 能效核，甚至還會支持新一代的 LPDDR6，在新工藝和新内核等技術的加持下，性能提升非常明顯，提升幅度達到了 40%。按照選擇這種說法，高通第 4 代骁龍 8 似乎還有 Arm 内核的版本。
此前還有消息稱，高通未來骁龍 8 平台或采用雙代工廠策略，分别爲台積電 N3E 工藝和三星的 3nm GAA 工藝。該計劃最快有可能在 2024 年年初實現，常規版本的第 4 代骁龍 8 芯片采用台積電 N3E 工藝制造，而三星 3nm GAA 工藝制造的版本有可能稱爲 "Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy"，專門用于 Galaxy S25 系列智能手機。
看來高通對于第 4 代骁龍 8 配置和工藝上該如何選擇很搖擺，顯得似乎不是那麽有信心。
