High-NA 光刻機最晚 2027 年進駐 ASML 在韓研發中心

IT 之家 2 月 7 日消息，ASML 韓國公司總裁 Lee Woo-kyung 近日在一次活動上透露，三星電子和 ASML 的合資研發中心最晚 2027 年引入 High-NA 光刻機。"

三星電子和荷蘭 ASML 去年達成協議，共同投資 1 萬億韓元（約 54 億人民币）在韓國建立聯合研發中心。該設施将成爲 ASML 和三星電子雙方工程師使用 EUV 設備進行先進半導體研發合作的場所。

圖源 ASML 官方

在回答有關該研發中心建設進度的問題時，Lee 表示：" 我們在 ASML 位于韓國華城的園區附近新獲得了一塊場地，将于明年開始建設。我們計劃在竣工時引進 High-NA 設備，預計最晚會在 2027 年完成。" 這是 ASML 韓國首次透露即将建設的研發中心的位置以及 High-NA EUV 設備的引進計劃。

High-NA EUV 光刻機可用于實現亞 2nm 級工藝，引發了各家先進制程企業之間對機器産能的激烈競争。據 IT 之家去年 12 月報道，英特爾已于去年底收到了 ASML 交付的首台機器。

三星電子已表示計劃 2027 年實現 1.4nm 工藝量産。考慮時間上的關系，韓媒이데일리預計其将從 1nm 工藝開始導入 High-NA 光刻機。