快科技 1 月 28 日消息，據媒體報道，佳能負責新型光刻機的高管在接受采訪時表示，采用納米壓印技術的佳能光刻設備 FPA-1200NZ2C 目标今年或明年出貨。
去年 10 月中旬，佳能公司宣布推出基于納米壓印的 FPA-1200NZ2C，佳能表示，該設備采用不同于複雜的傳統光刻技術的方案，可以制造 5nm 芯片。
佳能表示，這套設備的工作原理和 ASML 的光刻機不同，并不利用光學圖像投影的原理将集成電路的微觀結構轉移到矽晶圓上，而是更類似于印刷技術，直接通過壓印形成圖案。
相較于目前已商用化的 EUV 光刻技術，盡管納米壓印技術的芯片制造速度要比傳統光刻方式慢，但铠俠在 2021 年就曾表示，納米壓印技術可大幅減少耗能，并降低設備成本。
原因在于納米壓印技術的制程較爲簡單，耗電量可壓低至 EUV 技術的 10%，并讓設備投資降低至僅有 EUV 設備的 40%。
另外，納米壓印設備還可以使得芯片制造商降低對于 ASML 的 EUV 光刻機的依賴，使得台積電、三星等晶圓代工廠可以有第二個路線選擇，可以更靈活的爲客戶生産小批量芯片。
不過佳能 CEO 三井藤夫曾在采訪中表示，佳能可能無法将這些設備出口到中國，" 我的理解是，任何超過 14nm 技術的出口都是被禁止的，所以我認爲我們無法銷售。"
