快科技 2 月 4 日消息，據媒體報道，中國領先的存儲企業長鑫存儲 ( CXMT ) 已經開始準備必要設備，計劃制造自己的 HBM 高帶寬内存，以滿足迫切的 AI、HPC 應用需求。
報道稱，長鑫已經在向美國、日本的供應商下單采購制造、組裝、測試 HBM 内存的必要設備。
這說明，相關開發設計工作已經完成，可以轉入投産階段。
消息人士稱，早在 2023 年中，Applied Materials、Lam Research 等美國設備供應商就獲得了美國政府的許可，可以向長鑫出口 HBM 制造設備。
考慮到 HBM 内存需要先進、複雜的制造和封裝技術，這似乎暗示中芯國際在這方面也已經取得了突破。
目前，長鑫已經在合肥有了一座 DRAM 内存工廠，正在籌錢建設第二座，會導入更先進的工藝，有可能會同時用來制造 HBM。
暫時還不清楚長鑫要生産的 HBM 是第幾代，可能是 HBM3，而國際上已經有了更先進的 HBM3E，SK 海力士還計劃在 2026 年搶先投産 HBM4。
根據規劃，HBM4 将抛棄用了将近十年的 1024-bit 位寬，首次升級到 2048-bit 位寬，并有望堆疊更多層級，從而在容量、帶寬上都實現一次重大飛躍。
