IT 之家 10 月 21 日消息,廣東省人民政府辦公廳印發《廣東省加快推動光芯片産業創新發展行動方案(2024 — 2030 年)》,力争到 2030 年取得 10 項以上光芯片領域關鍵核心技術突破,打造 10 個以上 " 拳頭 " 産品,培育 10 家以上具有國際競争力的一流領軍企業,建設 10 個左右國家和省級創新平台,培育形成新的千億級産業集群,建設成爲具有全球影響力的光芯片産業創新高地。
方案提到,推進光芯片關鍵裝備研發制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數網絡測試儀等光芯片關鍵裝備研發和國産化替代。落實工業設備更新改造政策,加快光芯片關鍵設備更新升級。
方案還提到,省重點領域研發計劃支持光芯片技術攻關。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟襯底材料、有機半導體材料、矽光集成技術、柔性集成技術、磊晶生長和外延工藝、核心半導體設備等方向的研發投入力度,着力解決産業鏈供應鏈的 " 卡點 "" 堵點 " 問題。