三星電子：4nm 節點良率趨穩，二季度開始量産 HBM3E 12H 内存

IT 之家 4 月 30 日消息，三星電子在今日公布的一季度财報中分享了其半導體相關業務的技術信息和未來展望，IT 之家整理如下：

系統 LSI

三星表示整體晶圓代工業務的複蘇相對延遲，但晶圓廠的運營效率有一定提升。

技術方面，三星稱其 3nm 和 2nm 節點技術發展順利，将在本季度完成 2nm 設計基礎設施的開發；而在 4nm 節點方面，良率漸趨穩定。

三星正就适用于 3D IC 的 4nm 技術進行準本，同時計劃開發适用于 14nm、8nm 等成熟節點的基礎設施，滿足不同應用的需求。

三星确認其仍計劃在下半年實現第二代 3nm 技術的量産，并提升 2nm 技術的成熟程度。

存儲

三星表示其已于本月開始量産 HBM3E 8H（8 層堆疊）内存，并計劃于本季度内開始量産可提供 36GB 單堆棧容量的 HBM3E 12H 産品。三星将繼續增加 HBM 供應，滿足生成式 AI 市場的需求。

對于常規 DDR5，三星基于 1bnm（12 納米級）制程的 32Gb DDR5 也将于本季度量産。三星計劃在該産品上實現更快的産能爬坡，以提升企業在高密度 DDR5 模組市場的競争力。

三星 1bnm 32Gb DDR5 内存于去年 9 月發布，當時計劃于 2023 年底量産。

而在 NAND 閃存領域，三星進一步明确第 9 代 V-NAND 的 QLC 版本将于三季度量産。