品玩 4 月 20 日訊,SK 海力士官網宣布,再次超越了現有最高性能 DRAM(内存)—— HBM31 的技術界限,全球首次實現垂直堆疊 12 個單品 DRAM 芯片,成功開發出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新産品,并正在接受客戶公司的性能驗證。