IT 之家 5 月 19 日消息,據《Nikkei Asia》報道,瑞薩半導體今日宣布将進軍 SiC 功率半導體的消息,預計将在日本群馬縣的高崎工廠進行生産。
▲ 甲府工廠,圖片來源:瑞薩官網
瑞薩社長柴田英利表示,雖然瑞薩較晚進入 SiC 功率半導體市場,但是之前瑞薩在矽基 IGBT 領域等也是較晚投入,現在産品性能已受到市場肯定,SiC 功率半導體也有望複刻 IGBT 領域的途徑。他同時指出,瑞薩進軍投入 SiC 功率半導體之後,日本在 SiC 功率半導體的市場占有率都有望進一步增長。
IT 之家查閱相關調研報告獲悉,SiC 功率半導體在 2021 年市場規模高達 1400 億日元(IT 之家備注:當前約 71.26 億元人民币),預計到 2030 年将擴大到 3.4 萬億日元(當前約 1730.6 億元人民币)。目前該領域主要玩家包括三菱電機、羅姆半導體、意法半導體和英飛淩等。瑞薩在财報中指出,來自中國、歐洲等地區旺盛的電動車消費推高了對 SiC、IGBT 等功率半導體的需求。
此外,瑞薩決定重新啓用于 2014 年關閉的山梨甲府工廠以生産 IGBT,已完成進行 12 寸晶圓産線的生産設備投資,預計 2024 年上半年量産。瑞薩表示,電動車用 IBGT 領域瑞薩已有 10% 份額,甲府工廠投産後有望進一步擴大市場占有率。