品玩 5 月 26 日訊,據 The Elec 報道,三星電子近日在其半導體研究中心内組建了一個開發團隊,以量産 4F2 結構 DRAM。
據悉,三星的目标是将 4F2 應用于 10 納米以下的 DRAM 制程,以目前的技術預計會面臨線寬縮減的極限。
根據此前 TrendForce 發布的報告,全球 DRAM 芯片需求預計最早将在 7 月份超過供應,這一變化将減輕因芯片低迷而陷入困境的半導體公司的壓力。