快科技 9 月 17 日消息，美國政府宣布，Intel 公司已根據《芯片與科學法案》獲得高達 30 億美元的直接資金，用于 " 安全飛地（Secure Enclave）" 計劃。該計劃将爲美國政府擴大尖端半導體的可信制造。
Intel 聯邦總裁兼總經理克裏斯 · 喬治表示："Intel 很自豪能夠與美國國防部持續合作，幫助加強美國的國防和國家安全系統。今天的聲明凸顯了我們與美國政府的共同承諾，即加強國内半導體供應鏈，并确保美國在先進制造、微電子系統和工藝技術方面保持領先地位。"
Intel CEO 帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）表示，作爲唯一一家同時設計和制造尖端芯片的美國公司，我們将幫助确保國内芯片供應鏈的安全。
Intel 還透露，其代工廠即将完成曆史性的設計和工藝技術創新，其最先進的技術—— Intel 18A ——有望在 2025 年投入生産。
Intel 開發和生産了許多世界上最先進的芯片和半導體封裝技術，目前正在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的工廠推進關鍵的半導體制造和研發項目。
Intel 稱，與美國政府的密切合作由來已久。2020 年，Intel 獲得 SHIP 計劃第二階段的授權，使美國政府能夠使用 Intel 在亞利桑那州和俄勒岡州的先進半導體封裝能力，并利用 Intel 每年大量的研發和制造投資。
2023 年，Intel 成功交付了 SHIP 計劃下的首批多芯片封裝原型，這是确保獲得尖端微電子封裝并爲國防部現代化鋪平道路的重大成就。
據了解，18A 是 Intel 雄心勃勃的 " 五年，四個節點 ( 5Y4N ) " 路線圖的巅峰之作。
該工藝采用創新設計，将環栅 ( GAA ) 晶體管技術 RibbonFET 與背面供電技術 PowerVia 相結合。
RibbonFET 能夠精确控制晶體管溝道中的電流，在減少功耗方面發揮着重要作用，同時還能實現芯片組件的進一步小型化。
另一方面，PowerVia 将電源與晶圓表面分離，優化信号路徑并提高電源效率。這些技術的結合預計将顯着提高未來電子設備的計算性能和電池壽命。
