IT 之家 11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 内存。該産品可實現 48GB 的單堆棧容量，預計明年初出樣。
雖然一般認爲 16 層堆疊 HBM 内存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考内存領域 IP 企業 Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。
此外 IT 之家注意到，SK 海力士爲今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現 1280GB/s 帶寬的 48GB 16-High HBM3E DRAM，本次推出的産品很可能就是該論文對應的研發成果。
SK 海力士表示其 16-High HBM3E 的 AI 訓練性能較上代 12-High 産品提高了 18%，推理性能更是提升了 32%；這款 HBM 内存仍采用先進 MR-MUF（批量回流模制底部填充）鍵合技術，SK 海力士也在開發性能更爲優秀的混合鍵合。
在 DRAM 内存領域，SK 海力士表示除 16-High HBM3E 外還正在開發基于 1c nm LPDDR5 和 LPDDR6 的 LPCAMM2，這些内存條同時面向 PC 和數據中心市場。
而在 NAND 閃存領域，該企業還準備了 PCIe 6.0 固态硬盤、基于 QLC 的大容量企業級固态硬盤和下代 UFS 5.0 閃存。
