IT 之家 5 月 2 日消息，SK 海力士今日在韓國京畿道利川總部舉行了一場以 "AI 時代，SK 海力士藍圖和戰略 " 爲主題的國内外記者招待會，并公布了面向 AI 的存儲器技術力及市場現狀、韓國清州、龍仁、美國等未來主要生産據點相關的投資計劃。
SK 海力士 CEO 郭魯正表示，雖然目前 AI 需求以數據中心爲主，但今後有望迅速擴散到智能手機、PC、汽車等端側 AI 領域。因此，專門用于 AI 的 " 超高速、高容量、低電力 " 存儲器需求将會暴增。
他表示，公司具備了 HBM、基于 TSV 的高容量 DRAM、高性能 eSSD 等各産品領域的業界最高技術領導力，今後将通過與全球合作夥伴保持合作提供定制頂級存儲器解決方案。
他還透露，公司今年的 HBM 産能已經全部售罄，明年訂單也基本售罄。據稱，SK 海力士預計在今年 5 月提供世界最高性能的 12 層堆疊 HBM3E 産品的樣品，并準備在第三季度開始量産。
SK 海力士預測：進人工智能時代後，全球産生的數據總量預計将從 2014 年的 15ZB（Zetabyte，澤字節）增長到 2030 年的 660ZB。
IT 之家注：Zetabyte 即澤字節：澤它（Zetta）是表示 10 的 21 次方。ZB 即爲 KB、MB、GB、TB、PB、EB 之後的單位，每一個單位以 1000 爲倍數增加 ( 如 1ZB=10 億 TB ) 。
SK 海力士表示，面向 AI 的存儲器收入比重也将大幅增加。HBM 和高容量 DRAM 模塊等面向 AI 的存儲器在 2023 年整個存儲器市場的占比約爲 5%，預計到 2028 年可以達到 61%。
DRAM 方面，SK 海力士正在量産 HBM3E 和 256GB 以上的超高容量模塊，世界最高速度的 LPDDR5T 也已實現商用。NAND 方面，SK 海力士也在業界唯一提供基于 QLC 的 60TB 以上 SSD 産品等，維持着世界頂級面相 AI 的存儲器供應商地位。不止于此，SK 海力士還在開發進一步改進的新型産品。
據官方介紹，不僅是 HBM4 和 HBM4E、LPDDR6、300TB SSD，SK 海力士同時還在準備 CXL Pooled（池化）存儲解決方案、PIM（Processing-In-Memory）等創新的存儲器方案。
▲ SK 海力士 M15X 新工廠鳥瞰圖
除此之外，SK 海力士副社長（P&T 擔當）崔宇鎮還介紹了 HBM 核心技術力量和美國先進封裝項目的進展。
他表示，雖然也有 MR-MUF 技術在高層堆疊方面可能會存在瓶頸的意見，但公司已經在使用先進（Advanced）MR-MUF 技術量産 12 層堆疊 HBM3 産品。
據稱，MR-MUF 技術與過去的工藝相比，将芯片堆疊壓力降低至 6% 的程度，也縮短工序時間，将生産效率提高至 4 倍，散熱率提高了 45%；同時 MR-MUF 技術在維持 MR-MUF 優點的同時采用了新的保護材料，得以使散熱性能改善 10%。
此外，SK 海力士還計劃在 HBM4 也采用先進 MR-MUF 技術，從而實現 16 層堆疊，正在積極研究混合鍵合（Hybrid bonding）技術。
關于美國投資的内容，SK 海力士在上個月确定在印第安納州西拉斐特建設面向 AI 的存儲器先進封裝生産基地，其中印第安納工廠将從 2028 年下半年開始量産新一代 HBM 等面向 AI 的存儲器産品。
SK 海力士副社長（制造和技術擔當）金永式還介紹了其韓國清州 M15x 及龍仁半導體集群投資項目的進展。據介紹，M15x 是一座雙層晶圓廠，總面積達 6 萬 3000 坪，将具備包括 EUV 在内的一站式 HBM 生産工藝。該項目與正在擴大 TSV 工藝生産能力的 M15 相鄰，從而最大程度地提高 HBM 生産效率。SK 海力士 M15x 工廠計劃在明年 11 月竣工後，從 2026 年第三季度正式投入量産。
對于占地面積達 415 萬平方米的龍仁半導體集群，SK 海力士計劃依次建造四座工廠，并将引入國内外原材料、零部件和設備企業從而協力發展半導體生态系統。
目前集群用地建設進展順利，SK 海力士的首座工廠将入駐的第一階段用地建設工程進展率約爲 42%，正在順利進行中。龍仁集群内 SK 海力士第一座工廠将于 2025 年 3 月開工，預計在 2027 年 5 月竣工。
同時，集群将投入約 9000 億韓元（IT 之家備注：當前約 47.16 億元人民币）建設迷你工廠。這座迷你工廠與實際量産環境相似，原材料、零部件和設備企業可以在此進行試制品驗證，将會得到提高技術完成度的最佳解決方案。
