傳三星已試産第二代3nm制程，力拼良率超過60%

1 月 22 日消息，據韓媒《朝鮮日報》引述業界人士的話表示，三星已開始制造第二代 3nm 制程（SF3）的試制品，并測試芯片性能和可靠性，目标是 6 個月内力拼良率超過 60%。

台積電、三星都在積極争取客戶，準備上半年量産第二代 3nm GAA 構架制成，能否滿足英偉達（Nvidia）、高通、AMD 等大客戶需求，同時迅速提高産量，是競争中能否成功的關鍵。

三星在去年 11 月曾宣布，将于 2024 下半年量産 SF3 制程。目前三星正測試 SF3 試制芯片的性能和可靠性，首款産品将是即将推出的 Galaxy Watch 7 所搭載的應用處理器（AP），預計明年 Galaxy S25 系列所搭載的 Exynos 2500 芯片也将采用。

不過，智能手表應用處理器、手機芯片和數據中心處理器的芯片尺寸、性能和功耗目标完全不同。小型芯片如果良率隻有 60%，要商用相當困難，但若是光罩尺寸（reticle size）的芯片良率爲 60%，就相當合理。

如果 SF3 産量和性能穩定，拿些轉向台積電的客戶将有機會回流三星。例如三星就相當關注與高通的合作。高通此前曾将旗艦芯片交給三星代工，但是由于發熱問題，随後高通不得不轉向了台積電，高通新一代的 Snapdragon 8 Gen 3 也是由台積電代工生産的。此外，英偉達和 AMD 的高端芯片也都是交由台積電代工，英偉達新一代的 H200、B100 和 AMD 的下一代 CPU 和 AI 芯片也預計将會采用台積電 3nm 制程。