IT 之家 5 月 14 日消息,HBM 負責人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中聲稱當前業界 HBM 技術已經到了新的水平,行業需求促使 SK 海力士将加速開發過程,最早在 2026 年推出他們的 HBM4E 内存,相關内存帶寬将是 HBM4 的 1.4 倍。
除了 HBM4E 外,據 IT 之家此前報道,有消息稱 SK 海力士計劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 産品,而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。
HBM4 / HBM4E 的開發 " 加速過程 " 無疑顯示了 AI 領域巨頭對高性能内存的強勁需求,日益強大的 AI 處理器需要更高内存帶寬的輔助。