在業界頻傳 NAND 閃存價格迅猛下滑之際，作為市占率近 34% 的全球最大閃存供應商三星電子，卻仍在逆勢增加投資，并官宣其閃存産品将漲價 10%。目前，這一漲價幅度，已為中國部分廠商接受。
1 月 12 日，華爾街見聞獲悉，三星電子在西安的一個三期 NAND 閃存項目，進入了蘋果智能手機 NAND 閃存供應鍊。此前，三星電子已是蘋果公司最大的 DRAM 芯片供應商。
但是，提價 10% 很可能并非三星電子的主要訴求。從各種迹象看，三星将于年内開啟其閃存大幅降價的大幕。從逆勢增資擴産，到大幅降價，個中原因，不問可知。
逆勢增資：三星心路人知
受低迷的存儲芯片市場影響，三星電子利潤受到打擊，但三星電子半導體投資擴産卻沒有停滞。
全球存儲器市場結構怎樣？
據英國市場追蹤機構 Omdia 統計數據顯示，截至 2021 年，三星在 DRAM 市場份額為 42.7%，其次是 SK 海力士的 28.6% 和美光的 22.8%；NAND 閃存方面，截至 2022 年 Q2，三星電子擁有 33.9% 的市場份額，位列全球第一；通過收購 Intel NAND Flash 閃存業務，SK 海力士組建了新公司 Solidigm，市場份額升至 19.9％，緊随三星電子之後排名第二。
值得一提的是，三星電子在 NADA 閃存市場獲得全球第一的市場地位，源自在 2006-2009 年一系列 NADA 閃存詭谲風雲中三星的逆勢增資擴張。
這是一次極為成功的逆勢 " 加倉 " 之後的驚人逆襲。三星電子在行業低迷期擴大投資規模，最終擊敗當時市場份額領先于三星電子的對手，比如德國奇夢達、日本 " 國家隊 " 爾必達和東芝。
這次成功經驗，充分解釋了三星電子再次遇到行業低迷期，為何仍敢于逆勢增資擴産的信心迷局。
2022 年，半導體行業進入下行周期，存儲市場占據半導體約 30% 的比例，故受到較大行業下行影響：包括三星電子、美光和 SK 海力士在内的多家存儲廠商均出現虧損。
因此，行業風格保守，一衆巨頭也開始收縮業務。比如美光計劃将 2023 财年投資額，從 2022 财年的 120 億美元，下調至 70 億 -75 億美元；同時，還将大幅減少 2024 财年的資本支出；SK 海力士也在 2022 年 10 月宣布，2023 年的設備投資預算幅度，将比 2022 年減少超過 50%。
但是三星例外，其投資風格極為激進，這與美光和 SK 海力士因市場低迷而收縮業務規模的做法，顯得格外與衆不同。
公開消息顯示，三星電子已決定，在 2023 年提升其存儲器和晶圓廠 10% 的産能。這些産能也有部分來自中國的三星新投資項目。
1 月 12 日，華爾街見聞從供應鍊了解到，三星西安三期項目 12 寸（300mm）晶圓廠将于 2 月中旬開工。這個項目原本定于 2022 年 12 月啟動，但受内外多種因素影響，故而有所延期。
三星電子西安三期項目總投資高達 3000 億元人民币。目前，這個工廠的定位是三星電子 NAND 閃存半導體的生産基地，與前兩期項目的産能合并後，将占據三星電子 NAND 全球總産能的 40%。前兩期項目已達産，每月生産 12 英寸晶圓量達 25 萬張，年營收高達 1000 億元人民币。
與台積電或英特爾均已做出的減産計劃相比，三星電子同樣屬于逆勢 " 加倉 "。此舉說明三星電子野心極大，既想稱霸存儲器市場，也想在晶圓代工領域反超台積電。
除了中國項目，三星電子将對在韓國京畿道平澤市第一工廠（P1）的 NAND 閃存設備做升級。
P1 的 NAND 線預計将改造為 V8（238 層）NAND 量産線，可加工約 3 萬張晶圓。此前，有消息稱，三星電子可能會在 2023 年下半年，投資已完成外裝工程的平澤 4 号廠房（P4）一期工程新的 NAND 生産線。
據中國台灣市場研究公司 Trend Force 的統計數據，截至 2022 年底，三星電子 NAND 晶圓月産量約為 64.5 萬張。就半導體投資而言，三星電子決定在所有領域都保持 2021 年的水平。
另據英國市場研究公司 Omdia 的數據顯示，NAND 市場價值約為 665 億美元。鑒于此等規模的市場前景，三星或許想通過增加 NAND 産能，以擠壓或吞并規模較小的行業企業。目前，在 NAND 領域，仍有 6-7 家企業在争奪全球範圍内的市場份額。
手段：提價、擴産、降價
1 月 6 日，這家韓國市值最高的公司對外表示，2022 年 10 月 -12 月季度營業利潤可能同比下降 69%，低于市場預期的 38% 降幅，創下 2008 年同季度以來的最大降幅紀錄。
與 2022 年三季度相比，用于智能手機和其他設備的 NAND 閃存基準在 2022 年四季度期間，跌幅達到 14%。
可以說，三星電子面臨行業低迷和公司業績下滑的雙重壓力，卻仍在逆勢增資擴産。這家公司表示，将繼續從中長期的角度為市場複蘇做準備。
由上文可知，三星對逆勢投資有過成功經驗。多年來，三星常常在行業不景氣時期做巨額投資，以在下一個繁榮時期擊敗競争對手，從而引領全球内存市場。
俗話說，手中有糧，心中才能不慌。
三星敢于逆勢大舉增資，底氣來自其擁有的規模龐大的現金儲備。截至 2022 年 9 月底，三星持有約 128.8 萬億韓元（約合 1010 億美元）現金，約是其競争對手 SK 海力士或美光的 10 倍。
韓國政府也很給力。韓國在 2023 年 1 月 3 日宣布，計劃将半導體和電池等戰略技術資本支出的稅收減免，從 8% 擴大到 15%，接近翻倍。
除了想靠技術實力、産能規模壓制對手，複制 2006-2009 年的那次成功逆襲，還有個重要原因，即三星電子已成功進入蘋果 NAND 閃存供應鍊。此事得益于中國本土一家 NAND 閃存巨頭遇到的衆所周知的技術限制。
這家中國公司在遭遇技術約束後，三星電子成為了蘋果公司在中國的 NAND 存儲芯片替代供應商。華爾街見聞獲悉，三星電子位于西安的 NAND 閃存工廠将為蘋果供應 NAND 閃存。目前，這個工廠的三期工程将于 2 月動工。
值得一提的是，不久前，三星電子官宣其閃存産品将提價 10%，而部分中國公司已接受這一報價。
但是，據公開報道顯示，三星電子可能會于 2023 年開啟包括 NAND 閃存在内的大幅降價，以進一步提高在全球存儲芯片市場的份額。
對 NAND 技術、産能和價格三者之間關系的理解，也能從另一個角度解釋三星電子為何逆勢增資的意圖。
在 NAND 領域，NAND 制造商做的激烈技術角逐，集中在增加垂直層數方面。SK 海力士和美光都已推出 200 多層的 NAND 技術，但三星認為，" 重要的不是層數，而是産能以及專注于提供具有價格競争力的更優解決方案 "。
說是這麼說，但三星并沒有放松 NAND 的技術叠代，其技術水平也極為高超。
目前，三星電子生産的第八代 V-NAND 高達 230 層；第 9 代 V-NAND 也已在研發過程中，預計 2024 年量産。2030 年，三星将推出高達 1000 層的 V-NAND 産品。
鑒于 DRAM 的對于消費電子級的重要性，三星也在重兵布局這個方向。
為推進 10nm 範圍以外的微縮，三星電子正在開發圖案、材料和架構方面做持續突破。
2022 年底，三星官方透露，其即将推出的 DRAM 解決方案包括 32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM 和 36Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到了 HBM-PIM、AXDIMM 和 CXL 等定制 DRAM 解決方案。此外，三星計劃到 2030 年實現亞納米 DRAM。
