IT 之家 2 月 4 日消息，随着人工智能 ( AI ) 和高性能計算 ( HPC ) 行業的飛速發展，對内存帶寬的要求也水漲船高。目前擁有 9.6 GT/s 數據傳輸速率的 HBM3E 内存剛剛實現量産，但下一代 HBM4 内存已經箭在弦上，預計在兩年内與大家見面。
圖源：AMD
根據 Business Korea 報道，SK 海力士公司副總裁 Chun-hwan Kim 在 SEMICON Korea 2024 大會上表示，他們正計劃于 2026 年之前實現 HBM4 的量産，以滿足生成式人工智能快速發展帶來的巨大需求。生成式人工智能市場預計将以每年 35% 的速度增長，這将推動處理器性能的提升，進而對内存帶寬提出更高的要求。
據 IT 之家了解，目前單顆 HBM3E 内存堆棧能夠提供高達 1.2TB / s 的理論峰值帶寬，如果一個内存子系統包含 6 個堆棧，總帶寬則可達到驚人的 7.2 TB / s。然而，理論值與實際應用之間存在差距。例如，英偉達的 H200 顯卡雖然搭載了 HBM3E 内存，但其提供的帶寬 " 隻有 "4.8 TB / s，這可能是出于可靠性和功耗方面的考慮。
爲了進一步提升内存帶寬，HBM4 将采用 2048 位接口，理論峰值帶寬可超過 1.5 TB / s。爲了控制功耗，HBM4 的數據傳輸速率預計保持在 6 GT/s 左右。不過，2048 位接口需要更複雜的布線設計，這将導緻 HBM4 的成本高于 HBM3 和 HBM3E。
除了 SK 海力士，三星也在積極研發 HBM4 内存，并同樣計劃于 2026 年量産。值得一提的是，三星還針對特定客戶開發定制化 HBM 内存解決方案。
三星内存業務執行副總裁 Jaejune Kim 表示："HBM4 目前正在開發中，預計在 2025 年提供樣品，2026 年實現量産。由于生成式人工智能的需求，定制化 HBM 内存也越來越受歡迎。我們不僅在開發标準産品，還将與關鍵客戶讨論通過添加邏輯芯片爲每個客戶定制優化性能的 HBM 内存。"
