3 月 24 日，北京科技大學新材料技術研究院、北京材料基因工程高精尖創新中心的研究團隊設計一種新型的層狀結構材料，采用一種簡單的溶液外延生長方法，獲得超薄（低至 1nm）铋氧化物薄膜，并穩定呈現出高的宏觀鐵電性能。研究成果以 "Ferroelectricity in layered bismuth oxide down to 1 nanometer" 爲題發表在Science上。
論文鏈接：
https://www.science.org/doi/10.1126/science.abm5134
北京科技大學爲第一研究單位，新材料技術研究院博士研究生楊倩倩爲本論文的第一作者，張林興教授和田建軍教授爲通訊作者，本工作得到了邢獻然教授和陳駿教授等人的指導。
主要研究成員團隊照
本論文研究工作的溶液工程外延薄膜技術，可以在多種基底上實現該體系層狀結構薄膜，如價格低廉的 Al2O3 和鈣钛礦 SrTiO3 基底上。薄膜和基底呈現明顯的外延生長關系，并且所得薄膜具有高結晶質量和原子級平整表面，體現了本工作制備技術的普适性。因此，這項工作對于原子尺度薄膜的制備及原子尺度高密度電子器件的發展均具有重要意義，所開發的制備技術也表現出很好的應用前景。
北京工業大學博士生胡敬聰和西班牙巴斯克大學方躍文研究員爲共同第一作者，北京工業大學盧嶽副研究員爲共同通訊作者，合作單位還有以色列特拉維夫大學、上海交通大學、中國科技大學和中國科學院等單位。
