IT 之家 2 月 5 日消息，據報道，三星将在即将到來的 2024 年 IEEE 國際固态電路峰會上推出多款尖端内存産品。
除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還将發布一款超高速 DDR5 内存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 ( nm ) 級工藝技術開發，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。
雖然三星沒有提供太多關于将在峰會上發布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引腳 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 級晶圓代工節點的 Symmetric-Mosaic 架構設計，專門針對 DRAM 産品量身定制。
IT 之家注意到，三星電子内存産品和技術執行副總裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 産品時表示：" 憑借我們的 12nm 級 32Gb DRAM，我們已經獲得了一種解決方案，可以實現高達 1TB ( TB ) 的 DRAM 模塊，使我們能夠理想地滿足人工智能 ( AI ) 和大數據時代對高容量 DRAM 的日益增長的需求。我們将繼續通過差異化的工藝和設計技術開發 DRAM 解決方案，突破内存技術的極限。"
之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模塊需要矽通孔 ( TSV ) 工藝。然而，新的 32Gb DRAM 允許在不使用 TSV 工藝的情況下生産 128GB 模塊，三星表示這将使功耗降低約 10%。對于目前正在與人工智能不斷增長的能源需求作鬥争的數據中心來說，這是一個受歡迎的解決方案。
三星最新的 DDR5 技術允許在單通道配置下以 DDR5-8000 速度創建 32 GB 和 48 GB DIMM，還支持雙通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。
