文 | 半導體産業縱橫
存儲價格，時漲時落。
在 2024 年下半年，存儲行業再度步入下行周期，其價格後續的發展态勢引發了廣泛關注。至 2025 年，存儲價格究竟會走向何方？是延續下行趨勢，還是觸底反彈？這一系列問題已然成爲業界内外聚焦的核心。
無論是存儲行業從業者、相關産業鏈上下遊企業，還是關注科技領域動态的普通消費者，均在密切關注 2025 年存儲價格的走勢。
本文依據市場當下的發展情形，綜合部分行業專家與機構的見解，對 2025 年存儲行業的發展走向予以預測。
上半年，DRAM 市況或難反轉 價格走勢分析
首先看 DRAM 的價格走勢，根據市場研究公司 DRAMeXchange 在 12 月 8 日的數據顯示，截至 11 月底，通用 PC DRAM 産品（DDR48Gb1Gx8）的平均固定交易價格爲 1.35 美元，較 7 月份的 2.1 美元下跌了 35.7%。
Kiwoom 證券研究員 ParkYoo-ak 表示：" 預計今年年底和明年初 DRAM 價格将大幅下跌，幅度将超過預期。由于中國内存公司以低價銷售産品，DRAM 供應增長率将超過需求增長率，這種情況将持續到明年第二季度。"
具體到産品，目前制程較成熟的 DDR4 和 LPDDR4X 産品已開始降價，DDR5 和 LPDDR5X 等先進制程産品的價格目前相對穩健。
關于 2025 年存儲芯片的價格預測，TrendForce 表示，2025 年 DRAM 價格将轉爲下跌，上半年的跌幅較明顯，其中，DDR4 和 LPDDR4X 的降價壓力将持續大于 DDR5 與 LPDDR5X。
總的來看，TrendForce 與 Kiwoom 的觀點基本一緻，都指向了：明年上半年，DRAM 市場或許沒有太多好消息。
減産還是擴産？
再看存儲巨頭的産能與資本開支情況，如今由于消費電子市場複蘇不及預期，包括三星、SK 海力士等存儲龍頭開始醞釀減産以應對變化，這其中就包含 DRAM 産品，不過不同類型的存儲産品相應的減産策略也不同。
和價格走勢相對應，在 DRAM 産品領域，市場也呈現出一種鮮明的分化态勢：一方面，DDR4 等傳統 DRAM 産品的生産比重正逐漸縮減，面臨着減産的壓力；另一方面，針對人工智能存儲需求而設計的先進 DRAM 産品則保持着穩步增産的态勢。
日前，三星設備解決方案（DS）副總裁 KimJae-joon 表示，公司正下調通用 DRAM 與 NAND 存儲産品的産量，以符合逐漸下滑的市場需求。三星預計将減少以 DDR4 爲主的産能，把部分 DDR4 産能轉移至 DDR5、LPDDR5 以及 HBM 等先進産品的生産上。
SK 海力士方面，業内人士透露，SK 海力士将降低其 DDR4 DRAM 芯片産能。今年第三季度 SK 海力士 DDR4 的生産比重已從第二季度的 40% 降至 30%，第四季度更計劃進一步降至 20%，并将把有限産能轉向人工智能用存儲産品及先進 DRAM 産品。對此消息，SK 海力士并未進行回應。
NAND 價格恢複，也要等到明年下半年 價格走勢分析
再看 NAND 的價格走勢，根據市場調研機構 DramExchange 發布的數據顯示，通用 NAND 固定價格自去年 10 月起連續 5 個月上漲後，從今年 3 月開始平穩，9 月轉爲下跌趨勢。9 月至 11 月，NAND 價格環比分别下降 11.44%、29.18% 和 29.8%，8 月時 4.9 美元的價格已降至 2.16 美元，今年通用 NAND 價格已下跌超過 50%，跌至 2015 年 8 月以來的最低點。
TrendForce 預計 2024 年第四季度整體 NAND Flash 合約價格将下降 3-8%。至于明年的價格走勢想必也不會太樂觀，一方面 NAND Flash 市場表現不佳，另一方面其獲利能力本不及 DRAM，因此明年或許會有部分産品線從 NAND Flash 轉向 DRAM。
TrendForce 集邦咨詢研究經理敖國鋒預測，2024 年第四季度閃存價格将同比下降 8%，2025 年第一季度會再下降 10%，消費端閃存價格 2025 年下半年有望反彈回升 。
高端 NAND 閃存市場的表現态勢要優于整體市場的平均水平，這在一定程度上能夠緩解明年第一季度市場所面臨的供應過剩壓力。在 NAND 市場，AI 驅動的大容量 SSD 需求成爲了市場複蘇的關鍵。2025 年，30TB 和 60TB 的高容量 SSD 因其低能耗和高效的存儲能力，正迅速替代傳統的機械硬盤。這促使 NAND 供應商更加關注 QLC 技術，以提高存儲密度并降低成本。
再看産能與投資情況
目前，主要的 3D NAND 制造商（铠俠、美光、三星和 SK 海力士）都在考慮減少非易失性存儲器的産量，并減少對擴建額外閃存容量的投資。
三星在最新的财報電話會議中表示，公司無意在第四季度減少 NAND 産量，但将根據市場情況靈活調整。據悉，三星電子已逐步開始對中國西安的 NAND 閃存工廠生産線舊設備進行銷售，預計出售過程将于 2025 年正式開始，其中大部分是 100 層 3D NAND 設備。
铠俠也在計劃減少第四季度的 NAND 産量，以避免産能過剩問題。不過，铠俠表示爲應對生成性 AI 浪潮需求，铠俠将于 2025 年大規模生産第八代 NAND 設備，并準備投産最先進存儲産品。
HBM，一直很火
HBM 市場所呈現的景象，則與傳統的 DRAM 産品截然不同。
随着 AI 芯片技術的不斷叠代升級，單一芯片所能搭載的 HBM 容量正顯著增長，2025 年 HBM 的出貨量預計将同比增長 70%。
TrendForce 預期 2025 年 HBM 在 DRAM 市場的滲透率将逐步提升，預估 2025 年第四季度時，HBM 滲透率約達 10％，HBM3E 顆粒預計占 2025 年 HBM 的 85％。東興證券研報預估 2025 年 HBM 将貢獻 10% 的 DRAM 總産出，較 2024 年增長一倍。
作爲一種創新的 3D 堆疊 DRAM 技術，它通過将多層 DRAM 芯片垂直堆疊，使用高帶寬的串行接口與 GPU 或 CPU 直接相連，從而提供超過 DRAM 的帶寬和容量。
前文提及的各大存儲巨頭正在積極擴産高端 DRAM，也是爲應對 HBM 與 DDR5 DRAM 的需求。
此外，從 HBM 産品類型的發展趨勢來看，未來 HBM 市場也将發生顯著變化。比如，由于英偉達自 Blackwell GPU 開始，新産品會逐步轉往 12 層 HBM3e，明年 HBM3e 将取代 HBM3 成主流産品。由于 HBM3e 平均售價（ASP）大約是傳統 DRAM 産品的 3-5 倍，随着 HBM3e 産能的持續擴張，營收貢獻将逐季增長。
到 2025 年，HBM3e 仍可能面臨供應緊張的局面。
産能與投資情況
SK 海力士和美光都曾表示，2024 年 HBM 産能已經全部售罄，2025 年産能也已經基本分配完成；SK 海力士還表示訂單能見度可達 2026 年一季度。自 2024 年第二季度開始，就有多家存儲原廠爲應對互聯網巨頭們的急單需求，開始将 DDR4 産能切換至 HBM 上。
目前，三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠（P1L、P2L 和 P3L），以便用于 DDR5 和 HBM。同時，華城工廠（13/15/17 号生産線）正在升級到 1 α 工藝，僅保留 1y/1z 工藝的一小部分産能，以滿足航空航天等特殊行業的需求。
SK 海力士以南韓利川市 M16 産線生産 HBM，并着手将 M14 産線升級爲 1 α /1 β 制程，以供應 DDR5 和 HBM 産品。此外，無錫廠目前正積極将制程由 1y/1z 升級到 1z/1 α，分别用于生産 DDR4 及 DDR5 産品。
美光的 HBM 前段在日本廣島廠生産，産能預計 2024 年第四季提升至 2.5 萬顆；長期将引入 EUV 制程（1 γ、1 δ），并建置全新無塵室。
在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動下，2025 年 HBM 芯片每月總産能爲 54 萬顆，相比較 2024 年增加 27.6 萬顆，同比增長 105%。
存儲行業，走上分叉口
盡管自 2024 年第四季度起，存儲行業再度陷入衰退周期，但綜觀 2024 年全年的整體狀況，存儲市場相較于其他賽道，其表現仍顯得頗爲強勁。
根據世界半導體貿易統計組織（WSTS）數據顯示，2024 年半導體市場将強勁增長 19%。然而，值得注意的是，這種增長勢頭僅集中于少數幾個産品線。其中，存儲市場預計将在 2024 年增長 81%，邏輯芯片預計将增長 16.9%。相比之下，微型産品線的增長則較爲平緩，僅約 3.9%，而分立器件、光電器件、傳感器以及模拟器件等領域均将出現下滑。如果剔除存儲器市場，那麽在 2024 年，WSTS 對其餘半導體市場的預測增長率僅爲 5.8%。
不誇張的說，2024 年的半導體行業，靠存儲市場強撐。
2024 年存儲器的強勁表現也反映在了半導體公司的營收狀況之上。相較與前一年同期，在 2024 年前三季度，三星存儲和 SK 海力士的收入分别增長了 109%，美光科技增長了 78%，铠俠則增長了 54%。
存儲器市場能夠實現如此強勁的增長，主要歸因于 AI 應用領域對于存儲器需求的持續攀升。在 2024 年，存儲器價格呈現上漲趨勢，尤其是 DRAM 産品。
衆所周知，長期以來，存儲器市場始終是半導體行業周期性波動的重要加劇因素。
下圖是依據 WSTS 數據所繪制的圖表，該圖表呈現出了截至 2023 年半導體市場的年度變化狀況，以及 WSTS 對 2024 年的預測情形。
該圖表針對半導體總量、存儲器市場以及剔除存儲器後的半導體市場進行了比較分析。可以清晰地看到，存儲器市場呈現出極爲劇烈的波動，曾有高達 102% 的增長幅度以及 49% 的下滑幅度等極端情況出現，而與之形成鮮明對比的是，不包含存儲器的市場則表現得較爲平穩，其波動區間處于增長 42% 至下滑 26% 之間。
可以看到，在過去的十年曆程中，存儲器市場的變化跨度極大，從 2024 年高達 81% 的增長 2023 年 33% 的下滑，反觀不包括存儲器的市場，其變化範圍僅在增長 25% 至下滑 2% 之間波動。
在過去四十年，每當存儲器市場增長率超過 50% 時，第二年都會出現增長顯著放緩或下滑。在 2024 年之前，這種情況已經發生了六次，其中四次存儲器市場在第二年出現了下滑。另外兩次，市場在第二年雖然保持正增長，但增速明顯放緩，并在達到峰值後的第二年出現下滑。這些趨勢是由大宗商品産品的基本供需關系驅動的。當供不應求時，存儲器價格和産量就會上升。當供過于求時，産量和價格就會下降。
因此，該機構預計内存市場将在 2025 年或 2026 年出現大幅下滑。
業内龍頭，怎麽看？
存儲龍頭的動向，也體現出明年存儲行業的發展走勢摻雜諸多消極情緒。
近日，三星電子與 SK 海力士相繼調整了 2024 年第四季度的盈利預估，這一動态緊随美光科技發布的悲觀業績展望之後，共同揭示了整個存儲芯片市場的疲軟現狀。
具體而言，三星電子宣布将本季度的營業利潤預期從原先的 9.77 萬億韓元下調至 8.58 萬億韓元，減幅超過 1 萬億韓元。這一調整主要歸因于智能手機、個人電腦等傳統 IT 産品市場需求的持續萎縮，進而影響了其核心 DRAM 業務的盈利能力。
與此同時，SK 海力士也更新了其業績預測，盡管環比實現了 10.59% 的增長，預計第四季度營業利潤将達到 77742 億韓元，但與此前預測的 81117 億韓元相比，仍下降了 4.16%，顯示出市場預期的小幅下調。
早前，美光科技發布的 2025 财年第一财季财報雖然表現尚可，但其對第二财季的業績展望卻遠低于市場預期，這一消息直接導緻公司股價在盤後交易中大幅下跌。如今，三星電子與 SK 海力士的業績調整似乎進一步印證了美光對市場前景的悲觀判斷。
根據行業分析機構 TrendForce 的分析，美光科技在 2 月份的季度中前景同樣不容樂觀，預計傳統 DRAM 和 NAND 的平均售價将在 2025 年第一季度繼續下滑。這一預測無疑爲整個 DRAM 行業的前景蒙上了一層陰影。
綜合上述信息，可以看出，當前存儲芯片市場正面臨着嚴峻的挑戰。未來，如何應對這一市場寒冬，将成爲半導體行業巨頭們亟待解決的問題。
