【CNMO 新聞】1 月 26 日消息，韓國宣布了一個重要決定：将人工智能芯片中采用的 HBM（高帶寬存儲器技術）指定爲國家戰略技術。
爲了實現這一目标，韓國政府對稅法進行了修正，擴大了有資格享受研發投資稅收優惠的國家戰略技術的範圍。這意味着，與一般研發活動相比，企業對其指定的國家戰略技術可以獲得更高的稅收減免。對于中小企業，可享受高達 40% 至 50% 的扣除，而中型企業和大型企業可享受高達 30% 至 40% 的扣除。
據了解，爲了趕上半導體産業的複蘇趨勢，韓國主要的半導體生産企業正在針對高帶寬存儲器技術進行技術攻關和産品研發。三星電子和 SK 海力士等企業已經在該領域取得了重要的進展。
三星電子計劃在 2024 年量産基于 CXL 技術的 DRAM。CXL 是一種新型的互連接技術，能夠提高芯片之間的連接速度和帶寬。三星電子已經于 2023 年 12 月申請了多個 CXL 産品相關商标，表明其對該技術的重視和投入。
與此同時，SK 海力士也計劃在 2024 年上半年量産新一代 HBM 産品。HBM 是一種高帶寬存儲器技術，能夠提供更高的數據傳輸速度和帶寬，廣泛應用于人工智能、數據中心等領域。SK 海力士在該領域具備技術領先優勢，并已經手握全球 AI 芯片領先企業英偉達這樣的大客戶。
全球 HBM 市場規模在 2024 年預計增長兩倍左右，該領域的發展前景非常廣闊。
