IT 之家 9 月 5 日消息，日本東北大學的研究人員日前利用濺射技術制造出了碲化铌（NbTe4）材料，據悉這種材料具有 " 卓越存儲和熱性能 "，有望應用于相變存儲器制造中，從而爲業界提供更多原材料選擇，降低相關成本，目前論文已經發布歸檔在 onlinelibrary 平台上。
IT 之家經過查詢得知，相變存儲器（PCM）是一種 " 應用相變材料作爲儲存介質 " 的存儲器技術，相對于當下的閃存，相變存儲器通過相變物質的固态、液态轉變來保存數據（閃存的寫入速度受限于電荷移動速度），因此其讀寫速度更快、存儲密度更高、功耗更低、并且尺寸可以做到更小，但制造相變存儲器介質的成本過高，目前相變存儲器還停留在企業級階段，尚未下放到家庭市場。
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研究人員使用濺射技術制造材料，據悉 " 濺射是一種廣泛使用的技術，該技術主要是将材料薄膜沉積到基底上，從而實現對薄膜厚度和成分的精确控制 "。研究人員在 272 ºC 以上的溫度，退火形成碲化铌（NbTe4）結晶，這種材料具有約 447 ºC 的超低熔點，因此物理上相對穩定，适合制造相變存儲器。
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研究人員對該晶體進行了評估，據稱與傳統的相變存儲器化合物相比，碲化铌（NbTe4）結晶的熱穩定性較高，而結晶轉換爲液态的速度也相當快（約爲 30 納秒），凸顯了其作爲相變存儲器的原材料的潛力。
東北大學材料科學高等研究所助理教授 Shuang 聲稱：" 我們爲開發高性能相變存儲器開辟了新的可能性，NbTe4 具有低熔點、高結晶溫度和優異的轉換性能，是解決目前相變存儲器所面臨成本挑戰的‘理想材料之一’。
