作者：周源 / 華爾街見聞
英特爾最近更新了晶圓代工藍圖：2026-2027 年，英特爾 1.4/1nm 将先後分别投産。這是英特爾首次官宣 1nm 晶圓代工時間表。
2021 年，英特爾首席執行官帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）向英特爾的客戶和投資人披露了他制定的雄心勃勃的計劃，就是在 4 年内完成 5 個工藝節點（7/4/3/20A/18A）的制造，最終目标是重新奪回代工領域的領導地位。
這項計劃就是到 2030 年，英特爾外部代工規模将僅次于台積電，超越 Global Foundries、UMC 和三星，成爲全球第二大代工廠。
押注 18A：2030 計劃的核心
英特爾最新晶圓代工藍圖顯示，Intel 10A（1nm 制程）将于 2027 年底投入生産 / 開發（非量産），标志着該公司首個 1nm 節點的到來；Intel 14A（1.4nm）節點将于 2026 年投入生産。
從 2021 年 Gelsinger 披露工藝節點制造計劃至今，基于英特爾首款 EUV 節點的 Intel 4 的産品已經上市，其大批量對應産品 Intel 3 也已準備就緒。與此同時，英特爾正在對 2024 年和 2025 年首款全環栅（GAAFET）/RibbonFET 做最後的完善工作。
根據最新的晶圓代工藍圖路線圖，在高性能 / 高密度賽道上，14A（1.4nm）将是英特爾首次使用高數值孔徑（High-NA）EUV 的節點。這一節點将在 2026 年大規模投入生産。
這是業界首個使用 ASML 極紫外光刻機的工藝節點。那台重 15 噸、造價高達 27 億元的最新一代光刻機，能制造 2 納米以下的最先進制程。英特爾是目前唯一拿到這台光刻機設備的公司。
英特爾将其代工業務押注于 High-NA，這與英特爾在 EUV 領域的起步相對較晚（Intel 4/Meteor Lake 是首款産品）形成鮮明對比（之前保守，現在激進）。目前，英特爾已獲得了迄今爲止全球唯一的高數值孔徑掃描儀。
憑借 High-NA 的技術性能，14A 将成爲英特爾繼 20A/18A 合并之後的第一個完整節點。若一切照現在的計劃推進，那麽這将是英特爾進一步鞏固其作爲晶圓廠工藝技術領導者的地位的技術。當然，這還包括在 2026 年之前的風險測試中不出現意外。
目前，14A 節點的變種包括 E（更高的電壓和溫度，性能提升 5%）、P（Plus）（性能提升 5%-10%）和 T。
值得一提的是 18A 工藝節點。Gelsinger 剛剛對外公開表示，" 我将整個公司都押注在了 18A 制程上。"Gelsinger 此次重申了 18A 制程對英特爾的重要性，比 2023 年底的表态更加堅定。
18A 制程是英特爾重回技術領導地位的加速路線圖中的第五個節點，2025 年投産，以此重新取得制程工藝的領先性。
雖然實際上 18A 并沒有采用 1.8nm 工藝，但是英特爾卻表示自家的 18A 制程在性能和晶體管密度上，能與台積電 1.8nm 工藝相當，比台積電 2nm 制程更先進。
若比較晶體管密度和 GAA（全環繞栅極）架構，其實兩者（與台積電 2nm 相比）相差無幾。
與台積電 2nm 工藝相比，18A 制程具有的 " 背面供電 " 技術（即英特爾所稱的 PowerVia）确實比台積電先進。這項技術能從芯片的背面而不是正面爲晶體管供電。Gelsinger 稱該項技術堪稱芯片行業的 " 哈利路亞 " 時刻。
除了技術上的優勢，18A 制程也是英特爾雄心勃勃的 "2030 年成爲全球第二大晶圓代工廠 " 計劃的核心。目前，台積電是全球最大的晶圓代工企業，三星緊随其後。英特爾希望通過 IFS （Intel Foundry Services）部門取代三星，18A 制程被認爲是英特爾吸引客戶的重要砝碼。
微軟 CEO 薩蒂亞 · 納德拉（Satya Nadella）已宣布 " 微軟将基于 Intel 18A 工藝制造芯片 "。
2 月 22 日，英特爾宣布已完成 18A 主要産品 Clearwater Forest 的流片。Clearwater 是基于英特爾第二代 E 核的 Xeon（Sierra Forest 後繼産品），是英特爾代工技術的出色産品。
由于英特爾工藝節點取得了較爲顯著的進展，故而英特爾代工集團換了新名稱——由原先的代工團隊改成了英特爾代工服務（Intel Foundry Services），由此開啓了英特爾 " 系統代工 " 發展的全新階段。
英特爾整個代工服務系列，從晶圓廠到測試再到先進封裝，現在都被置于這個新改名的英特爾代工旗幟下。
看上去英特爾正在借鑒台積電的做法。比如，強調英特爾提供服務，不但希望爲客戶制造芯片，而且希望成爲芯片生産的一站式商店。所以，除了爲客戶提供晶圓光刻技術，英特爾還向潛在客戶開放先進封裝、芯片組裝和測試的完整生态。
如果客戶願意，他們将能從英特爾獲得完整的芯片，甚至隻是利用英特爾提供的個性化服務，以達成自己的目标。
超越三星：成爲全球第二
成爲僅次于台積電的全球第二大代工廠，這是英特爾當今掌門 Gelsinger 的雄心。他于 2 月 26 日在加州舉行的晶圓代工大會上對此做了詳細解釋，" 當我說到 2030 年成爲第二大代工廠時，我的意思是‘針對我們的’外部代工廠（僅限商業）。"
根據 Gelsinger 在 2021 年制定的 "4 年 5 個節點 " 技術路線圖，英特爾共有 5 項制程節點技術（再加上此次增加的 14A 和 10A）。
其中包括，第一，傳統成熟制程的 10 納米和 7 納米，對應 Intel 7 和 Intel 4 已投放市場；第二，先進制程 3 納米（對應 Intel 3）已準備就緒，随時可大批量生産，該制程旨在追趕台積電與三星。
第三，未來制程 2nm（對應 Intel 20A）和 1.8nm（對應 Intel 18A）也将如期上市。英特爾預計，将于 2025 年通過 intel 18A 制程節點會重獲制程領先性。
作爲美國本土少數擁有晶圓廠、兼具設計和代工能力的芯片 IDM（另一種是将設計與生産分離的 Fabless 無晶圓廠模式）廠商，英特爾因 " 死磕 "10nm 芯片制程造成研發上的戰略失誤，被迅速崛起的對手台積電、三星趕超并甩至身後。
2020 年，英特爾不得不将 7nm 芯片的代工業務外包給台積電，5nm 及 3nm 的大部分訂單都要依賴台積電完成。
2021 年，英特爾本代掌門 Gelsinger 上任後，最重要的戰略決策就是要帶領英特爾重拾芯片代工業務。
爲此，Gelsinger 制定了三大關鍵戰略能力：芯片設計、技術架構、工藝技術和大規模制造能力。
随後，英特爾同步在全球建廠擴充産能。目前，英特爾在美國、以色列和愛爾蘭等地都傳出投建與改造晶圓廠的計劃，投資額已經超過 250 億美元。2024 年，英特爾與位于中國台灣的全球第四大晶圓代工廠聯電（台積電宿敵）宣布合作。
自從美國、歐盟芯片法案相繼出台後，芯片生産能力成爲扶持本土半導體産業、保障供應鏈安全的關鍵。英特爾被認爲是兩項法案當前最大的受益方之一，收到了美國和歐盟的補貼大禮包，其中美國 100 億美元，歐盟 68 億歐元。
據 TrendForce 統計數據顯示，2023 年第二季度，英特爾首次跻身全球前十大晶圓廠，排名第九，約占 1% 的全球代工市場份額。排名前三的廠商分别是台積電、三星和格芯，分别占 57.9%、12.4% 和 6.2%。
" 按收入（包括封裝業務收入）計算，我們将成爲第二大代工廠。這是我爲我們團隊設定的目标，這高于我從内部代工業務獲得的收入。所以它是兩者的結合。"Gelsinger 說，" 我相信若做适當地比較，我的外部代工廠将在行業中排名第二。"
