圖片來源 @視覺中國
文｜市值觀察
年初以來爆火的人工智能，催生了一批超級大牛股，從下遊應用領域的傳媒、遊戲，到上遊硬件領域的光模塊，漲幅翻倍的公司比比皆是。
但是，表現最強的，是來自存在感稍弱的存儲芯片闆塊。今年以來，科創闆上市公司佰維存儲漲幅超過 5 倍，在 A 股 5000 多家公司中排名第一。
作爲國内少數同時掌握 NAND Flash、DRAM 存儲器研發設計與封測制造的企業，佰維存儲牛冠 A 股的背後，映射出存儲芯片困境反轉的預期，和國産替代的大勢所趨。
拐點将至
2022 年，存儲芯片價格一路下跌，從雲端跌向谷底。
研究機構的數據顯示，制造硬盤的 NAND 閃存芯片價格指數去年全年下跌了 41%，制造内存條的 DRAM 芯片價格指數下跌 35%。其中第四季度兩種存儲芯片的跌幅高達 20%~25%，創下了 2008 年以來的最大季度跌幅記錄。
存儲芯片是半導體行業最大的細分闆塊，2021 年全球市場規模超過 1500 億美元，占半導體總規模的 35% 左右。
美聯儲持續加息和全球宏觀經濟逆風背景下，半導體行業去年經曆了近 10 年來最嚴重的衰退，而庫存可能處于曆史最高水平的存儲芯片，受到的沖擊無疑最爲嚴重。
面對行業不景氣和極其糟糕的業績壓力，SK 海力士、美光、三星等全球存儲芯片大廠不得不下調資本開支，給出供給收縮預期。根據 Gartner 最新預測數據，全球半導體行業資本開支 2023 年約爲 1372 億美元，同比下滑 19.0%；
一邊是供給收縮，另一邊是增量需求的湧現。
伴随着通訊技術不斷叠代，萬物互聯已成時代浪潮，數據也呈現指數級别增長：
資料顯示，全球數據量從 2010 年的 2ZB（1ZB 代表十萬億億個字節）增長到 2021 年的将近 60ZB，十年時間翻了 30 倍，并預計 2025 年将繼續增長至 175ZB。其中互聯網全球領先的中國，無疑将成爲全球最大的數據圈。到 2025 年，中國數據量預計将增長至 48.6ZB，占全球數據量的 27.8%。
海量數據的湧現，正是當下人工智能爆發的前提和基石，同時極大地刺激了存儲的需求。
從曆史經驗來看，存儲芯片下跌周期一般在 2 年左右，其價格漲跌跟美元利率以及全球宏觀經濟景氣度關系密切。
2021 年下半年至今，存儲芯片價格已經下跌了 18 個月，DRAM 和 NAND Flash 兩大内存芯片價格下跌周期長達 20 個月之久。
按照過往規律，存儲價格預計在今年第二季度到達谷底，随着美聯儲加息預期減弱帶來的經濟複蘇預期，以及增量需求的大量湧現，行業有望在三季度之後觸底反彈，完成困境反轉。
國産替代再迎契機
中國是存儲芯片消費的第一大國。2021 年，我國存儲芯片的市場規模達到 5494 億元，占全球存儲芯片市場份額超過 55%。
但是，中國存儲市場大部分都被外資品牌占據，國産存儲芯片占比不足 10%。目前，全球存儲芯片的産能高度集中于日韓美等國家，其中 DRAM 主要被三星、海力士和美光三家壟斷，2021 年 CR3 達到 94%，NAND Flash 被三星、铠俠、海力士以及美光等六家廠商壟斷，CR6 爲 93%。
對于習慣了後發趕超的中國制造來講，存儲芯片領域較低的國産化率，本身就意味着較大的國産替代的空間，而自主可控和地緣因素，更爲國産替代提供了重要契機。
3 月 31 日晚間，國家互聯網信息辦公室下設的 " 網絡安全審查辦公室 " 宣布，對美光公司在華銷售的産品實施網絡安全審查。
美光是美國存儲芯片龍頭，是全球第二大 DRAM 産商和第五大 NAND 廠商，截至 2022 年底，美光在全球 DRAM 和 NAND 閃存市場分别占據 23%、10.7% 的份額。
作爲全球最大的存儲芯片公司之一，美光被中國政府審查，其實遠不止是安全問題。
最近幾年來，不斷有媒體爆出，美光是打壓中國存儲芯片産業的 " 幕後推手 "。2018 年至 2022 年，美光花了 954 萬美元用于遊說，目的就是爲了打擊中國的存儲制造産業。
中國市場對美光極其重要。2018 年，美光在中國一年的營收達到 173.57 億美元，占到該公司當年總收入的 58%，這也是美光害怕中國存儲崛起的重要原因。
中國政府審查美光的底氣，無疑是來自國産存儲的崛起。
事實上，美光近年來在華銷售收入已經大幅下降，2022 年下降到 33 億美元，占公司營收比重隻有 11%，存儲芯片的國産替代已是大勢所趨。
誰能扛起大旗？
如果美光在中國的業務受限，首先受益的自然是利基存儲市場。
利基存儲主要包含 4Gb DDR4 及以下的 DRAM，2D NAND 及 NOR Flash、EEPROM 等品類，毛利較低，市場規模遠小于主流儲存産品，但是相應技術壁壘也相對較低，國外巨頭正在逐步退出這部分競争，國内存儲芯片設計公司正在逐步崛起。
在利基存儲領域，兆易創新無疑是成長最快、實力最強的公司。
兆易創新的存儲芯片營收中 70% 來自 NOR 閃存、利基型 DRAM 占比 18%，其餘小部分爲 NAND 閃存，公司目前産品布局主要面向 IPC、機頂盒、掃地機器人等物聯網領域利基市場需求。
2012 年到 2021 年，兆易創新 NOR 閃存全球市占率從 3.4% 提升至 23%，排名全球第三，僅次于旺宏和華邦，NOR 營收的年化複合增速高達 30% 左右。
▲來源：财信證券
在利基型 DRAM 車用存儲領域，北京君正通過并購獲得了後發趕超的優勢。
2020 年，北京君正 72 億收購北京矽成半導體，後者在全球全球車用 DRAM 市場有 15% 的市場份額，居全球第二位，僅次于美光的 40%，正是美光的國内市場的重要替代者。
但是，利基市場規模實在太小。2021 年，NAND 全球市場規模超過 600 億美元，DRAM 市場規模超過 800 億，而 NOR 全球市場規模僅 31 億美元，利基型 DRAM 也不過 74 億，顯然，光靠利基市場顯然并不能真正實現儲存芯片的國産替代，國産儲存要真正崛起，還是得在主流産品領域和外國巨頭直接競争。
在主流的 DRAM 和 NAND 領域，兆易創新其實也有布局，并且已經取得一定進展，這是 A 股存儲龍頭未來的重大看點之一，但是目前其市場份額太小，還不足以和國外巨頭競争。
真正具備一定實力、能直接和國外巨頭抗衡的，是兩家還未上市的重要公司，成立于 2016 年的長鑫存儲和長江存儲。其中長鑫存儲主攻 DRAM 内存，長江存儲主攻 NAND 閃存。
長鑫存儲最先進的量産芯片主要是 19nm 工藝的 DDR4，和國際巨頭相比落後 5-6 年。但是DRAM 正在逐漸逼近 10nm 的天花闆，其性能和技術提升的速度已經大幅放緩，這給長鑫存儲等國産 DRAM 産業的加速追趕提供了難得的機遇期。
目前，長鑫存儲國内市場份額估計已超過 3%，初步打破了國際巨頭對 DRAM 的壟斷。
相對而言，國産 NAND 閃存的進程更快一些。
2019 年，長江存儲 64 層 3D NAND 閃存量産，這是全球首款基于 Xtacking 架構設計并實現量産的閃存産品，标志着中國在 3D NAND 閃存領域逐步進入國際一流梯隊，而中國制造的優勢，也提升了國産 NAND 閃存的性價比。
最近兩年來，在存儲芯片的下行周期中，采用國産 NAND 閃存顆粒的固态硬盤（SSD）憑借超高的性價比逆勢崛起，部分采用長江存儲顆粒的 2T SSD 産品已降價至 600 元以下，甚至比三星的 1T SSD 還便宜。
2021 年，長江存儲在 NAND 領域的全球市占率已經達到 4%，2022 年估算達到 7%，已經具備強大的行業競争力。
自主可控的背景下，國内存儲芯片企業要最終實現國産替代，國内上下遊産業鏈的日益完善，是不可或缺的重要一環。
在上遊設備領域，存儲芯片對光刻機要求不高，但對刻蝕機要求比較高。一定程度上講，中微公司在刻蝕機領域的崛起，是我國存儲芯片行業的救命稻草。
目前，中微公司的刻蝕機最先進制程已經達到 3nm，幾乎可以滿足最先進的存儲芯片的生産。
下遊的存儲模組行業，江波龍和百維存儲在全球市場也有較強競争力，其中江波龍司 eMMC 及 UFS 在全球市場占有率爲 6.5%，全球第六，國内第一，佰維存儲全球市占率 2.4%，全球第八，國内第二。
兩家公司的主要供應商，都包括美光。一旦美光被制裁，國内存儲芯片企業有可能赢得更多的國内下遊市場。
存儲芯片的國産替代，如今已是國家戰略，兆易創鑫、江波龍和佰維存儲都陸續獲得了國家大基金的投資，持股比例都在 5% 以上。
今年 3 月，國家大基金二期入股長江存儲，認繳出資額高達 128.87 億元人民币，持股比例超過 12%。
科技自強、自主可控的舉國體制下，國産存儲芯片的春天，就在眼前。
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