預計二季度起将全面反映 DRAM 漲勢。
據台灣電子時報報道，存儲器模塊業者傳出，三星電子、美光等存儲器大廠，正規劃今年第一季将 DRAM 價格調漲 15%-20%，從 1 月起執行，借此催促客戶提前規劃未來使用需求量。已有廠商透露收到三星的漲價預告。
業界人士稱，上遊原廠漲價焦點将從 NAND 轉移至 DRAM，DDR4、DDR5 有望成下一波調漲重點，以加速改善營運虧損。至于 DDR3，其産能及需求相對穩定，預計漲幅相對平緩。
業界預期，随着上遊原廠醞釀提價 DRAM，多家存儲器模塊業者各自收到風聲啓動備貨，預計供貨給 OEM 廠的合約價可望延後一個季度跟進，即二季度起将全面反映 DRAM 漲勢。
存儲芯片市場以 DRAM 和 NAND Flash 爲主，此前 NAND Flash 的價格從 2023 年下半年一路上漲，而 DRAM 報價漲幅較少，2023 年 12 月 DRAM 報價僅微幅調漲 2%-3%，明顯低于 3D TLC NAND 約 10% 的漲幅。
對于上遊原廠計劃在一季度啓動 DRAM 補漲行情，存儲器模塊業者表示并不意外，目前市場需求尚未恢複穩定，DRAM 報價調漲仍然由上遊原廠主導，行業已有預期，近月來已陸續回補低價庫存。
至于未來 DRAM 漲幅能否如同 NAND Wafer 強勁攀升，仍需觀察後續市場需求。報道稱，終端市場仍存在觀望氣氛，前兩個季度的市場表現非常關鍵，若主要應用出海口需求順利銜接，存儲器前景才會比較确定。
供給方面，業界指出，無論是 DRAM 或是 NAND，2023 年 Q4 上遊供貨狀況并不緊缺，" 前提是要能夠接受原廠提出的價格，隻要價格對了，原廠都有貨可以賣。"
這一背景下，削減産能仍然是原廠重要的保價策略。2023 年下半年，韓系 DRAM 大廠一直在降低 DRAM 稼動率，同時逐步增加高端制程的産出，以三星爲例，2023 年 Q4 DRAM 産出僅占 2023 年 Q1 的七成左右。
據了解，2024 年 Q1 DRAM 整體産能供應仍然偏向節制謹慎，未來供應商将會持續減産成熟制程，并轉向先進制程技術。
整體而言，從行業周期角度看，海外大廠稼動控制下存儲供需逐漸改善，主流存儲價格自 2023Q3 起持續回暖，并在 Q4 帶動利基存儲價格觸底回升，去年 8 月末起，晶圓端漲價已開始傳導至模組端。
展望後續，中信證券預計 12 月部分緊缺且對應下遊需求複蘇較早的産品漲價将持續（如移動存儲），庫存持續去化的下遊環節如傳統服務器内存的價格漲勢或将相對放緩。随着各原廠持續減産 DDR4、行業庫存去化、下遊服務器市場複蘇，預計 2024 年主流 DRAM 價格有望持續回升。
